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上海MOCVD

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上海MOCVD

MOCVD

MOCVD即金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀,是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。錸因其優(yōu)異的高溫性能,作為MOCVD的關(guān)鍵加熱部件使用。相比其它材料,純錸加熱部件具有電學(xué)性能更優(yōu)、壽命更長、更耐惡劣工作氣氛的顯著特點而受到用戶的青睞。

純度:≥99.99%

MOCVD雜質(zhì)含量表

元素 

含量 ,%)

元素 

含量 ,%)

元素 

含量 ,%)

Na

0.0005

Ni

0.0001

Bi

0.0001

Mg

0.0001

Cu

0.0001

Co

0.0001

Al

0.0001

Zn

0.0005

Fe

0.0005

Si

0.0005

As

0.0001

Pb

0.0001

P

0.0005

Zr

0.0001

Mn

0.0001

K

0.0005

Mo

0.0005

W

0.0005

Ca

0.0005

Cd

0.0001

Cr

0.0001

Ti

0.0001

Sn

0.0001

Ta

0.0001

V

0.0001

Sb

0.0001

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